| |
 |
| |
 |
| |
+ 국명 : 진동시료형자화율측정기
+ 측정온도 : 30 K - 1273 K
+ 최대인가자장 : 2.0 Tesla
+ 측정시료 : Thin Film, Powder, Bulk
+ Magnetization, Coercivity,
Curie Temperature, etc.
+ model :
- VSM : 7300
|
|
| |
 |
| |
+ 국명 : 극저온 진동시료형자화율측정기
+ 측정온도 : 4.2 K - 320 K
+ 최대인가자장 : 2.0 Tesla
+ 측정시료 : Thin Film, Powder, Bulk
+ Magnetization, Coercivity,
Curie Temperature, etc.
+ model :
- VSM : 7400
(electromagnet 4 inch)
- Temperature Controller : 340
- VSM Controller : 736
- Amplifier : 142C
- Power Supply : 668
|
|
|
| |
| |
| |
|
| |
 |
| |
 |
| |
+ 국명 : 투과형 뫼스바우어 분광기 (Moss A)
+ 측정온도 : 11 K - 800 K
+ 측정시료 : Powder
|
|
| |
 |
| |
+ 국명 : 투과형 뫼스바우어 분광기 (Moss B)
+ 측정온도 : 11 K - 800 K
+ 측정시료 : Powder
|
|
| |
 |
| |
+ 국명 : 투과형 뫼스바우어 분광기 (Moss D)
+ 측정온도 : 4.2 K - 300 K
+ 측정시료 : Powder
|
|
| |
 |
| |
+ 국명 : 투과형 뫼스바우어 분광기 (Moss E)
+ 측정온도 : 4.2 K - 300 K
+ 측정시료 : Powder
|
|
|
| |
| |
| |
|
| |
 |
| |
 |
| |
+ 국명 : 고자기장 투과형 뫼스바우어 분광기 (Moss F)
+ 측정온도 : 4.2 K - 300 K
+ 측정시료 : Powder
+ 최대인가자장 : 5.0 Tesla
|
|
|
| |
| |
| |
|
| |
 |
| |
 |
| |
+ 국명 : 박막형 뫼스바우어 분광기 (Moss C)
+ 측정온도 : 150 K - 300 K
+ 측정시료 : Thin Film
|
|
|
| |
| |
| |
|
| |
 |
| |
 |
| |
+ 영문명 : Molecular Beam Epitaxy
|
|
|
| |
| |
| |
|
| |
 |
| |
 |
| |
+ 영문명 : Pulsed Laser Deposition
+ Laser : Lamda Physik KrF (248 nm)
+ Chamber system : PVD 사 (USA)
+ 증착 온도 : RT ~ 900 ℃
|
|
|
| |
| |
| |
|
| |
 |
| |
 |
| |
+ 영문명 : Magnetherm
+ Hyperthermia 용 온도측정장치
+ 가용주파수 : 50,112,168,176,261,335,474,523,632,739,987 (kHz)
+ 최대인가자장 : 250 G
|
|
|
| |
| |
| |
|
| |
 |
| |
 |
| |
+ 국문명 : 졸-겔 시스템
+ Sol-gel process
+ 고온열분해법
+ Spin coating 용 졸 합성
|
|
|
| |
| |
| |
|
| |
 |
| |
 |
| |
+ 국명 : x-선 회절분석기
+ Measurement range : 0~160°
+ Step size range : 0.005~160°
+ Scan speed range : 0.001~2°/s
|
|
|
| |
| |
| |
|
| |
 |
| |
 |
| |
+ 국명 : 원자현미경
+ Model : CP research
+ Microscopy Head :
contact, non-contact, tapping mode
+ Resolution (X, Y : 0.1nm, Z : 0.01nm)
+ Scanner : X, Y 100 ㎛×100 ㎛, Z 2.5㎛
+ STM, EFM, MFM 측정 가능
|
|
|
| |
| |
| |
|
| |
 |
| |
 |
| |
+ 국명 : 열분석 장비
+ 측정온도 : 1500℃
+ Resolution : 0.1℃ to 60℃/min
+ sensitivity : < 5㎼, 0.1㎶
+ TGA, DTA, DSC 측정가능
|
|
|
| |
| |
| |
|
| |
 |
| |
 |
| |
+ 국명 : 네트워크 분석기
+ 측정 주파수 : 100 KHz - 8.5 GHz
+ 투자율, 투자손실, 유전율, 유전손실 측정 가능
+ 외경 7mm, 내경 3.04mm 규격
|
|
|
| |
| |
| |
|
| |
 |
| |
 |
| |
+ 국명 : 임피던스 분석기
+ 측정 주파수 : 100 KHz - 300 MHz
+ 투자율, 유전율 측정 가능
+ 전자회로 분석 가능
|
|
|
| |
| |
| |
|
| |
 |
| |
 |
| |
+ 국명 : 충방전 장비
+ Channel : 8ch/PC
+ Max. power : 50 Watt
+ Max. current range : ±5 A f.s @ 5 V
+ Min. current range : ±10 uA f.s
+ Max. voltage range : 40 V @ 500 mA
|
|
|
| |
| |
| |
|
